2025年11月28日

株式会社タムラ製作所（本社：東京都練馬区、代表取締役社長：中村 充孝、以下「当社」）は、仙台アドバンスドラボ所属の研究員がIEEE国際シンポジウム (IEEE CPMT Symposium Japan、以下、「ICSJ2025」（注1）)で発表した論文において、Best Paper Awardを受賞したことをお知らせします。

今回受賞した論文「SiC-MOSFETを用いた超小型の両面冷却型パワーモジュール技術」は、当社の仙台アドバンスドラボの研究員が第一著者となり、参画する東北大学が推進している文部科学省革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業の成果をまとめたものです(注２)。2025年11月12日～14日から京都で開催されたICSJ2025で発表し、低熱抵抗および高信頼性の技術に関する研究が高く評価され、Best Paper Award に選ばれました。
当社の仙台アドバンスドラボでは、ワイドバンドギャップ（以下、「WBG」）半導体に対応する高効率・高電力・高周波駆動を目指し、素材から差別化した新しい磁性受動部品およびパワーモジュール絶縁材料の創出のため、東北大学との共同研究開発を積極的に進めています。今回発表したパワーモジュールの絶縁部分には、当社の絶縁フィルムを提供しています。

当社は、第14次中期経営計画「One TAMURA for Next 100」において、クリーンエネルギー関連市場を注力市場と位置付けています。カーボンニュートラル社会の実現に向けて、今回の受賞を一つの励みとして、当社の次の100年を支える技術基盤の確立と、新たな事業の柱の創出に引き続き挑戦してまいります。